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熱電偶薄膜材料
來源:薄膜壓力傳感器壓力分布 | 發(fā)布時間:2021/7/27 8:39:30 | 瀏覽次數(shù):

2.隨著環(huán)境溫度的升高,靈敏度降低。由于材料特性(熱電偶材料、薄膜材料),在較高的環(huán)境溫度下,靈敏度(每吸收輻射伏特數(shù))較低。這種熱電堆特性用溫度系數(shù)TCSENS表示。

事實1的結(jié)果是,整個曲線在不同的電壓水平下移動,這取決于環(huán)境溫度。這些曲線之間的距離在這里稱為偏移VOFFS。

No 2的結(jié)果是曲線的梯度(與熱電堆靈敏度成正比)隨著環(huán)境溫度的升高而減小。溫度越高,曲線越平坦。

請注意,特性曲線形式不受這兩個因素的影響。事實1只會改變曲線,事實2會壓縮曲線。根據(jù)環(huán)境溫度拉伸曲線。曲線特性僅取決于熱電堆的濾波特性。在大多數(shù)應用中,濾波器特性的這種變化可以忽略不計。

通過了解特定熱電堆的靈敏度和溫度系數(shù)TCSENS,可以確定與參考熱電堆的關(guān)系,從而計算目標溫度。查表與反查表

本章簡要說明了如何測量參考查找表所需的參考值。描述了該LUT的基本操作。

參考TP應為具有平均水平靈敏度的熱電堆。應在應用中進行測量。這意味著應測量整個信號路徑(包括預放大…)。

測量結(jié)果可以在右邊的表格中。

步長取決于后期溫度檢測所需的精度和微控制器中的可用內(nèi)存。

算法后面需要對該LUT執(zhí)行兩個操作:

1.V=LUT(T)

2.T=RLUT(V)

例子:

V=LUT(T=45°C)=1.70mV

T=RLUT(V=4.34mV)=70°C

TS118-1傳感器溫度=25°C物體溫度[°C]VTP[毫伏]

校準

校準是指:

測量熱電堆參數(shù),之后需要確定實際測量的熱電堆電壓和參考熱電堆電壓之間的聯(lián)系。將這些參數(shù)存儲在傳感器的非易失性存儲器中。

所需參數(shù)是TCSENS和與參考傳感器相比的靈敏度,靈敏度轉(zhuǎn)換系數(shù)SCONV。

在某些應用中,根本不需要確切地知道每個傳感器的TCSENS,這意味著應該考慮數(shù)據(jù)表值。在這種情況下,只需要“一次環(huán)境溫度校準”來測量靈敏度。

請參見下面的示例如何測量SCONV。

在該示例中,在TSEN=TREF=25°C和TOBJ=100°C時,將校準中TP的電壓與參考TP的電壓進行比較。結(jié)果是靈敏度轉(zhuǎn)換系數(shù)SCONV為0.982。該值必須存儲在校準傳感器的非易失性存儲器中。

 
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